APT13F120B, MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 13 A TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 940 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 940 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 625 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 145 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 910 mOhms |
| Rise Time: | 15 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, кг | 8.68 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![UF3C120400K3S, Транзистор SiC FET [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/525/DOC013525237.jpg)
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![Транзистор 60R165CP, тип N, 192 Вт, корпус D2PAK [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126100.jpg)
