APT24M80B, MOSFET MOSFET MOS8 800 V 24 A TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 950 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 950 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Fall Time: | 33 ns |
Forward Transconductance - Min: | 21 S |
Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 625 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 150 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 310 mOhms |
Rise Time: | 38 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 115 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 221 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
ST Microelectronics
3 520 руб.