APT30M85BVRG, MOSFET MOSFET MOS5 300 V 85 mOhm TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 080 руб.
от 100 шт. —
2 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 080 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS5
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Qg - заряд затвора | 130 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 7 ns |
Высота | 5.31 mm |
Длина | 21.46 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Коммерческое обозначение | Power MOS V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 43 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 16.26 mm |
Вес, г | 679 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
ST Microelectronics
3 520 руб.