APT48M80B2, MOSFET MOSFET MOS8 800 V 48 A TO-247 MAX
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 960 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 960 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 49 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.135 kW |
Qg - заряд затвора | 305 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 75 ns |
Время спада | 70 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 43 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 230 ns |
Типичное время задержки при включении | 55 ns |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet APT48M80B2
pdf, 198 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары