APT75GT120JU3, IGBT Modules CC0069
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 000 руб.
от 25 шт. —
6 960 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 500 nA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
Package/Case: | SOT-227-4 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 416 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | ISOTOP |
Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 561 КБ