APT8030LVRG, MOSFET POWER MOS V 800V 27A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 520 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 340 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 59 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 61 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
