APT8056BVRG, MOSFET MOSFET MOS5 800 V 56 Ohm TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 390 руб.
от 25 шт. —
3 900 руб.
от 100 шт. —
3 140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 390 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор FG, МОП-транзистор, 800V, TO-247, RoHS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Pd - рассеивание мощности | 370 W |
Qg - заряд затвора | 75 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 560 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Microchip / Microsemi |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet APT8056BVRG
pdf, 62 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
ST Microelectronics
3 520 руб.