APT8M100B, MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 8 A TO-247

APT8M100B, MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 8 A TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 330 руб.
от 10 шт.1 200 руб.
от 25 шт.1 150 руб.
от 100 шт.903.56 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 330 руб.
Номенклатурный номер: 8004809550
Артикул: APT8M100B

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Microchip Technology/Atmel
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1
Fall Time: 7.2 ns
Forward Transconductance - Min: 7.5 S
Id - Continuous Drain Current: 8 A
Manufacturer: Microchip
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 290 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 60 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.53 Ohms
Rise Time: 7.8 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: Power MOS 8
Transistor Polarity: N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 29 ns
Typical Turn-On Delay Time: 8.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Вес, г 6

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов