Jan2N3019, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 520 руб.

от 100 шт. — 1 940 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 520 руб.

Номенклатурный номер: 8004809741

Артикул: Jan2N3019

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Pd - рассеивание мощности	800 mW
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-5-3
Вес, г	1