Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Microchip › Jan2N3501, Bipolar Transistors - BJT ...

Jan2N3501, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 690 руб.

от 10 шт. — 3 500 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 690 руб.

Номенклатурный номер: 8004809744

Артикул: Jan2N3501

Бренд: Microchip Technology

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	1 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	300 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Bulk
Base Product Number	2N3501 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	300mA
Current - Collector Cutoff (Max)	10ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Notification	QPL or Military Specs are for reference only. Part
Operating Temperature	-65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package	Bulk
Package / Case	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Power - Max	1W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	RoHS non-compliant
Series	Military, MIL-PRF-19500/366 ->
Supplier Device Package	TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Вес, г	1