JAN2N5667, Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT

4 890 руб.
от 25 шт.4 350 руб.
от 100 шт.3 760 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 890 руб.
Номенклатурный номер: 8004809747
Артикул: JAN2N5667

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Технические параметры

Brand: Microchip/Microsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: 1
Manufacturer: Microchip
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 1.2 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 16

Техническая документация

Datasheet
pdf, 118 КБ
Datasheet
pdf, 119 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов