Jantxv2N2907A, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 320 руб.

от 10 шт. — 1 210 руб.

от 25 шт. — 1 170 руб.

от 100 шт. — 1 051.29 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 320 руб.

Номенклатурный номер: 8004810064

Артикул: Jantxv2N2907A

Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BJTs

Производитель:	Microchip
Категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
Вид монтажа:	Through Hole
Упаковка / блок:	TO-18-3
Полярность транзистора:	PNP
Конфигурация:	Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO):	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):	5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	400 mV
Максимальный постоянный ток коллектора:	600 mA
Pd - рассеивание мощности:	500 mW
Минимальная рабочая температура:	- 65 C
Максимальная рабочая температура:	+ 200 C
Упаковка:	Bulk
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:	175 at 1 mA, 10 VDC
Технология:	Si
Торговая марка:	Microchip Technology
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	40 at 1 mA, 10 VDC
Тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors
Размер фабричной упаковки:	1
Подкатегория:	Transistors
Вес, г	1