Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › 2STN1360, Bipolar Transistors - BJT LOW ...

2STN1360, Bipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

25025 шт., срок 7-9 недель

170 руб.

от 10 шт. — 150 руб.

от 100 шт. — 91 руб.

от 500 шт. — 68.70 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8004824863

Артикул: 2STN1360

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	180 mV
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	80
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gain Bandwidth Product fT:	130 MHz
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	3 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-223-4
Pd - Power Dissipation:	1.6 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	2STN1360
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	4.536