Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › 2STR1160, Bipolar Transistors - BJT Low-Volt ...

2STR1160, Bipolar Transistors - BJT Low-Volt Fast Switch NPN Pwr Tran

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9265 шт., срок 7-9 недель

110 руб.

от 10 шт. — 85 руб.

от 100 шт. — 54 руб.

от 1000 шт. — 28.69 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Номенклатурный номер: 8004824866

Артикул: 2STR1160

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	210 mV
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	180 at 500 mA, 2 V, 85 at 1 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max:	180 at 500 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	500 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	2STR1160
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.01