MJD31CT4, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1244 шт., срок 7-9 недель
280 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
151 руб.
от 500 шт. —
113.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 15Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 3 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 20 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 15 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | MJD31C |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 3 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Height | 2.4 mm(Max) |
Length | 6.6 mm(Max) |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 15 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | MJD31CT4 |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 6.2 mm(Max) |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 15 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
CD00158496
pdf, 401 КБ
Datasheet
pdf, 399 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 259 КБ
Datasheet
pdf, 388 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары