STGB14NC60KDT4, IGBT Transistors PowerMESH" IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 шт., срок 7-9 недель
610 руб.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
358 руб.
от 250 шт. —
329.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
| Continuous Collector Current: | 25 A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 2 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 80 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1190 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![MSG50T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 50А 320Вт [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
