STGB40H65FB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

Фото 1/2 STGB40H65FB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
845 шт., срок 6-8 недель
1 100 руб.
от 10 шт.850 руб.
от 25 шт.778 руб.
от 100 шт.622.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 100 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004828503
Артикул: STGB40H65FB
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors
STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Continuous Collector Current Ic Max: 80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gate-Emitter Leakage Current: +/-250 nA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: D2PAK-3
Pd - Power Dissipation: 283 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: STGB40H65FB
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 80А
Power Dissipation 283Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции 650V HB
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1.38

Техническая документация

Datasheet
pdf, 619 КБ
Datasheet
pdf, 604 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.