STGB6M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

65 шт., срок 6-8 недель

460 руб.

от 10 шт. — 350 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.

Номенклатурный номер: 8004828505

Артикул: STGB6M65DF2

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Pd - рассеивание мощности	88 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	12 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	12 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STGB6M65DF2
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 uA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	D2PAK-3
Вес, г	1.38