STGB7H60DF, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
765 шт., срок 7-9 недель
420 руб.
от 10 шт. —
330 руб.
от 100 шт. —
269 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 14 A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 88 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![MSG40T120FQC, Транзистор IGBT 1200В 40А 342Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![IRGB4056DPBF, Транзистор IGBT 600В 24А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![MSG30D120FLB, Транзистор IGBT 1200В 30А 342Вт [TO-3PB]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
