STGF20M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

862 шт., срок 6-8 недель

530 руб.

от 10 шт. — 410 руб.

от 100 шт. — 313 руб.

от 500 шт. — 245.12 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 530 руб.

Номенклатурный номер: 8004828528

Артикул: STGF20M65DF2

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.55 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	40 A
Continuous Collector Current Ic Max:	40 A
Factory Pack Quantity:	1000
Gate-Emitter Leakage Current:	250 uA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220FP-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	32.6 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	2