STGF4M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
83 шт., срок 6-8 недель
290 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 23 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 8 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 8 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STGF4M65DF2 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 uA |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet STGF4M65DF2
pdf, 812 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.