STGF8NC60KD, IGBT Transistors N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET

STGF8NC60KD, IGBT Transistors N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1980 шт., срок 6-8 недель
450 руб.
от 10 шт.350 руб.
от 100 шт.255 руб.
от 500 шт.201.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 450 руб.
Номенклатурный номер: 8004828535
Артикул: STGF8NC60KD
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 7 A
Continuous Collector Current Ic Max: 7 A
Factory Pack Quantity: 1000
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3 FP
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 24 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 540 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.