STGIPQ3H60T-HL, IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge

STGIPQ3H60T-HL, IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20 шт., срок 6-8 недель
2 530 руб.
от 10 шт.2 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 530 руб.
Номенклатурный номер: 8004828560
Артикул: STGIPQ3H60T-HL
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение SLLIMM
Конфигурация Half Bridge
Максимальная рабочая температура + 175 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
Размер фабричной упаковки 360
Серия STGIPQ3H60T-HL
Технология SiC
Тип продукта IGBT Modules
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок N2DIP-26
Вес, г 0.004

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1629 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.