STGIPQ3H60T-HL, IGBT Modules SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 6-8 недель
2 530 руб.
от 10 шт. —
2 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 530 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | SLLIMM |
Конфигурация | Half Bridge |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 3 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
Размер фабричной упаковки | 360 |
Серия | STGIPQ3H60T-HL |
Технология | SiC |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | N2DIP-26 |
Вес, г | 0.004 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1629 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.