STGP10H60DF, IGBT Transistors Trench gate H series 600V 10A HiSpd

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

953 шт., срок 6-8 недель

470 руб.

от 10 шт. — 280 руб.

от 100 шт. — 232 руб.

от 250 шт. — 216.14 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 470 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004828569

Артикул: STGP10H60DF

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	20 A
Continuous Collector Current Ic Max:	10 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	115 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGP10H60DF
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	20А
Power Dissipation	115Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	H
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	6