STGP10NB60SD, IGBT Transistors N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1001 шт., срок 6-8 недель

700 руб.

от 10 шт. — 380 руб.

от 100 шт. — 329 руб.

от 250 шт. — 304.84 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 руб.

Номенклатурный номер: 8004828571

Артикул: STGP10NB60SD

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Описание Транзистор БТИЗ, 600В 29A TO-220 Tube Характеристики

Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.15 mm
Длина	10.4 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	20 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STGP10NB60SD
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Вес, г	6