STGP20NC60V, IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 30 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1656 шт., срок 6-8 недель
1 040 руб.
от 10 шт. —
910 руб.
от 25 шт. —
610 руб.
от 100 шт. —
497.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор IGBT TO-220 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
Continuous Collector Current: | 30 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 200 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGP20NC60V |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 443 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.