STGP30H60DF, IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

255 шт., срок 6-8 недель

800 руб.

от 10 шт. — 610 руб.

от 100 шт. — 443 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 800 руб.

Номенклатурный номер: 8004828580

Артикул: STGP30H60DF

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.4 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	260 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGP30H60DF
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	2.3