STGP3HF60HD, IGBT Transistors 4.5 A, 600 V very fast IGBT Ultrafast diode

Фото 1/3 STGP3HF60HD, IGBT Transistors 4.5 A, 600 V very fast IGBT Ultrafast diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5852 шт., срок 6-8 недель
340 руб.
от 10 шт.260 руб.
от 100 шт.190 руб.
от 500 шт.150.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004828585
Артикул: STGP3HF60HD
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

Технические параметры

Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STGP3HF60HD
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 7.5 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 38 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Collector Emitter Saturation Voltage 2.45В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 7.5А
Power Dissipation 38Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1102 КБ
Datasheet STGP3HF60HD
pdf, 1321 КБ
Datasheet STGP3HF60HD
pdf, 1034 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.