STGP3HF60HD, IGBT Transistors 4.5 A, 600 V very fast IGBT Ultrafast diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5852 шт., срок 6-8 недель
340 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
от 100 шт. —
190 руб.
от 500 шт. —
150.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
Технические параметры
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STGP3HF60HD |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 7.5 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 38 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.45В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 7.5А |
Power Dissipation | 38Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1102 КБ
Datasheet STGP3HF60HD
pdf, 1321 КБ
Datasheet STGP3HF60HD
pdf, 1034 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.