STGW25M120DF3, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 6-8 недель
1 690 руб.
от 10 шт. —
1 310 руб.
от 25 шт. —
978 руб.
от 100 шт. —
892.03 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 690 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор БТИЗ, 1.2KВ 50A TO-247 Tube Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 326 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | M |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 652 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
