STGW30NC60VD, IGBT Transistors PowerMESH

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

443 шт., срок 6-8 недель

1 230 руб.

от 10 шт. — 1 130 руб.

от 25 шт. — 893 руб.

от 100 шт. — 767.09 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 230 руб.

Номенклатурный номер: 8004828608

Артикул: STGW30NC60VD

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH

Pd - рассеивание мощности	250 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	21.09 mm
Длина	16.03 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток	80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	80 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	600
Серия	STGW30NC60VD
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.16 mm
Вес, г	38