2SA1962RTU, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

960 руб.

от 10 шт. — 810 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 960 руб.

Номенклатурный номер: 8004832391

Артикул: 2SA1962RTU

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Silicon

Pd - рассеивание мощности	130000 mW
Вид монтажа	Through Hole
Высота	19.9 mm
Длина	15.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	55 at 1 A at 5 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	17 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	230 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	230 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	15 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	30 MHz
Размер фабричной упаковки	450
Серия	2SA1962
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P-3
Ширина	4.8 mm
Вес, г	6.401

pdf, 558 КБ

Мы рекомендуем