CEDM8001 TR PBFREE, MOSFET P-Channel MOSFET 20V 100mA

CEDM8001 TR PBFREE, MOSFET P-Channel MOSFET 20V 100mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6257 шт., срок 7-9 недель
170 руб.
от 10 шт.140 руб.
от 100 шт.89 руб.
от 500 шт.66.71 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.
Номенклатурный номер: 8005049760
Артикул: CEDM8001 TR PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs
Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R DS(ON) and low threshold voltage.

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 8000
Id - Continuous Drain Current: 100 mA
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Pd - Power Dissipation: 100 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 658 pC
Rds On - Drain-Source Resistance: 8 Ohms
Series: CMxxDM
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -10 V, +10 V
Вес, кг 23.7

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.