CMKDM8005 TR PBFREE, MOSFET DUAL P-CHANNEL MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36646 шт., срок 7-9 недель
110 руб.
от 10 шт. —
92 руб.
от 100 шт. —
70 руб.
от 500 шт. —
57.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETsCentral Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R DS(ON) and low threshold voltage.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 360 mOhms |
| Series: | CMxxDM |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Вес, г | 0.01 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
