DDTA114ECA-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS PNP 200mW

Фото 1/3 DDTA114ECA-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS PNP 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 руб.
от 10 шт.40 руб.
от 100 шт.18 руб.
от 1000 шт.11.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 62 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005058604
Артикул: DDTA114ECA-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS PNP 200mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 30
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTA114
Тип PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 100
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Minimum DC Current Gain 30 5mA 5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name SOT-23
Supplier Package SOT-23
Supplier Temperature Grade Commercial
Type PNP
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 250
Typical Input Resistor (kOhm) 10
Typical Resistor Ratio 1
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Emitter Base Voltage 40 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Typical Input Resistor 10 kΩ
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 373 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 260 КБ
Datasheet DDTA114ECA-7-F
pdf, 365 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов