F3L75R12W1H3_B27, IGBT Modules LOW POWER EASY

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

16 320 руб.

от 10 шт. — 14 210 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 320 руб.

Номенклатурный номер: 8005073827

Артикул: F3L75R12W1H3_B27

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Pd - рассеивание мощности	275 W
Вид монтажа	Clamp
Другие названия товара №	F3L75R12W1H3B27BOMA1 SP001056132
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	3-Phase
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	45 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	24
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	EasyPack1B
Вес, г	24