FF1200R12IE5, IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

153 100 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 153 100 руб.

Номенклатурный номер: 8005073847

Артикул: FF1200R12IE5

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Pd - рассеивание мощности	20 mW
Вид монтажа	Chassis Mount
Другие названия товара №	FF1200R12IE5BPSA1 SP000976764
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	1200 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	3
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	PrimePACK
Вес, кг	1.5