FP100R06KE3, IGBT Modules N-CH 600V 100A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 170 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
Configuration: | 3-Phase Inverter |
Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
Factory Pack Quantity: | 10 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package/Case: | Econo 3 |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | SP000091925 FP100R06KE3BOSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 335 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 558 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары