FP50R12KT4G, IGBT Modules IGBT Module 50A 1200V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 880 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 880 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
Configuration: | 3-Phase Inverter |
Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
Factory Pack Quantity: | 10 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | Econo 3 |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | SP000879284 FP50R12KT4GBOSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 280 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 301 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 776 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары