FP75R12KT4_B15, IGBT Modules IGBT 1200V 75A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 080 руб.
от 10 шт. —
36 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 080 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 75 A |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000408728 FP75R12KT4B15BOSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 385 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 301 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 594 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары
