FS10R06VE3, IGBT Modules N-CH 600V 16A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 580 руб.

от 10 шт. — 4 520 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 580 руб.

Номенклатурный номер: 8005073952

Артикул: FS10R06VE3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A

Pd - рассеивание мощности	50 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	12 mm
Длина	35.6 mm
Другие названия товара №	FS10R06VE3BOMA1 SP000100333
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Hex
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	16 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	40
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	EASY750
Ширина	25.4 mm
Вес, г	10