FS150R12KE3G, IGBT Modules 1200V 150A 3-PHASE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 700 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
Configuration: | 6-Pack |
Continuous Collector Current at 25 C: | 200 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | EconoPACK+ |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | SP000100403 FS150R12KE3GBOSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 695 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | Trench/Fieldstop IGBT3-E3 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | EconoPACK |
Вес, г | 908.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 576 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары