FS300R12KE3, IGBT Modules 1200V 300A 3-PHASE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
125 700 руб.
от 12 шт. —
112 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 125 700 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Configuration: | 6-Pack |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 500 A |
| Factory Pack Quantity: | 4 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package/Case: | EconoPACK+ |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000100405 FS300R12KE3BOSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.45 kW |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, кг | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 565 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары
