DN1509N8-G, MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 90V 6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 25 шт. —
216 руб.
от 100 шт. —
189.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Depletion |
Channel Type | N |
Configuration | Single Dual Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.36 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6000@0V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 90 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum IDSS (uA) | 540000(Typ) |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Process Technology | DMOS |
Product Category | Power MOSFET |
Supplier Package | SOT-89 |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 25 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 70@25V |
Typical Rise Time (ns) | 16 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 615 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары