DN1509N8-G, MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 90V 6

DN1509N8-G, MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 90V 6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт.240 руб.
от 25 шт.216 руб.
от 100 шт.189.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8005187437
Артикул: DN1509N8-G

Описание

Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Depletion
Channel Type N
Configuration Single Dual Drain
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.36
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 6000@0V
Maximum Drain Source Voltage (V) 90
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum IDSS (uA) 540000(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1600
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Process Technology DMOS
Product Category Power MOSFET
Supplier Package SOT-89
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 25
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 70@25V
Typical Rise Time (ns) 16
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 15
Typical Turn-On Delay Time (ns) 12
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 615 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов