DN2450N8-G, MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms

DN2450N8-G, MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
270 руб.
от 25 шт.220 руб.
от 100 шт.182 руб.
от 2000 шт.158.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.
Номенклатурный номер: 8005187438
Артикул: DN2450N8-G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Microchip Technology
Channel Mode: Depletion
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Forward Transconductance - Min: 500 S
Id - Continuous Drain Current: 160 mA
Manufacturer: Microchip
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-89-3
Pd - Power Dissipation: 1.6 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 10 Ohms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet DN2450K4-G
pdf, 624 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов