LND150N3-G-P014, MOSFET DepletionMode MOSFET

LND150N3-G-P014, MOSFET DepletionMode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
от 25 шт.160 руб.
от 100 шт.140 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Номенклатурный номер: 8005187567
Артикул: LND150N3-G-P014

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Microchip Technology
Channel Mode: Depletion
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 2000
Fall Time: 1300 ns
Id - Continuous Drain Current: 30 mA
Manufacturer: Microchip
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-92-3
Packaging: Ammo Pack
Pd - Power Dissipation: 740 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signals
Rds On - Drain-Source Resistance: 1 kOhms
Rise Time: 450 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 100 ns
Typical Turn-On Delay Time: 90 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Вес, г 8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 626 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов