Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › LP0701N3-G, MOSFET 16.5V 1.5Ohm

LP0701N3-G, MOSFET 16.5V 1.5Ohm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 руб.

от 25 шт. — 450 руб.

от 100 шт. — 395 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 580 руб.

Номенклатурный номер: 8005187571

Артикул: LP0701N3-G

Бренд: Microchip Technology

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 16.5V 1.5Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	500 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	16.5 V
Vgs - напряжение затвор-исток	5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	500 mV
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	20 ns
Время спада	30 ns
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	500 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	1.3Ом
Power Dissipation	1Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	5В
Напряжение Истока-стока Vds	16.5В
Непрерывный Ток Стока	500мА
Пороговое Напряжение Vgs	700мВ
Рассеиваемая Мощность	1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.3Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-92
Вес, г	0.2