DS1230AB-120IND+, NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 880 руб.
от 12 шт. —
7 570 руб.
от 24 шт. —
6 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 880 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\ИС памяти\NVRAM
NVRAM 256k Энергонезависимая SRAM
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Время доступа | 120 ns |
Высота | 9.4 mm |
Длина | 39.12 mm |
Другие названия товара № | 90-1230A+B2I DS1230AB |
Категория продукта | NVRAM |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение питания - макс. | 5.25 V |
Напряжение питания - мин. | 4.75 V |
Организация | 32 k x 8 |
Подкатегория | Memory Data Storage |
Производитель | Maxim Integrated |
Рабочее напряжение питания | 5 V |
Рабочий ток источника питания | 85 mA |
Размер памяти | 256 kbit |
Размер фабричной упаковки | 12 |
Серия | DS1230AB |
Тип | NVSRAM |
Тип интерфейса | Parallel |
Тип продукта | NVRAM |
Торговая марка | Maxim Integrated |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | EDIP-28 |
Ширина | 18.8 mm |
Ширина шины данных | 8 bit |
Время доступа записи | 120нс |
Время доступа чтения | 120нс |
Количество Выводов | 28вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальное Напряжение Питания | 5.25В |
Минимальное Напряжение Питания | 4.75В |
Организация Памяти | 32К x 8бит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | EDIP |
Тип Интерфейса ИС | Параллельный |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 205 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары