MAX2601ESA+, RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 910 руб.
от 10 шт. —
1 570 руб.
от 50 шт. —
1 360 руб.
от 100 шт. —
1 234.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 910 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
• DC current gain of 100 at IC = 250mA, VCE = 3V
• Operating temperature range from -40°C to 85°C
• DC to microwave operating range
• Can be used as final stage in a discrete or module power amplifier
• Does not require negative bias or supply switch
• Collector emitter breakdown voltage of 15V (open base) and 15V (shorted base) at IC < 100µA
• Collector base breakdown voltage of 15V at IC = 250mA, VCE = 3V
• Collector cut-off current of 0.05µA at VCE = 6V, VBE = 0V and base current of 4.2mA
• Power gain of 11.6dB at POUT = 30dBm and noise figure of 3.3dB at VBB = 0.9V
Технические параметры
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Частота | 1ГГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальная Частота | 0Гц |
| Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | NSOIC |
| Типичное Значение Коэффициента Шума | 3.3дБ |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Усиление | 11.6дБ |
| Вес, г | 0.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 88 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
