2ED2182S06FXUMA1, Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

700 руб.

от 10 шт. — 550 руб.

от 100 шт. — 453 руб.

от 250 шт. — 398.82 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 руб.

Номенклатурный номер: 8005238290

Артикул: 2ED2182S06FXUMA1

The Infineon 2ED2182S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.

IC Case / Package	SOIC
Задержка Выхода	200нс
Задержка по Входу	200нс
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Количество Каналов	1канал(-ов)
Конфигурация Привода	Полумост
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Напряжение Питания	20В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	10В
Стиль Корпуса Привода	SOIC
Тип переключателя питания	IGBT, MOSFET
Ток истока	2.5А
Ток стока	2.5А
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов
Fall Time	30ns
Output Current	2.5 A
Package Type	DSO
Pin Count	8
Supply Voltage	20V
Вес, г	0.2338