Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT › Infineon › 2ED21844S06JXUMA1, Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI

2ED21844S06JXUMA1, Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

780 руб.

от 10 шт. — 600 руб.

от 100 шт. — 468 руб.

от 250 шт. — 438.24 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 780 руб.

Номенклатурный номер: 8005238293

Артикул: 2ED21844S06JXUMA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

The Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology and Interlocking function with internal 400 ns dead time and programmable up to 5 us with external resistor.

Технические параметры

Fall Time	30ns
Output Current	2.5 A
Package Type	DSO-14
Pin Count	14
Supply Voltage	25V
IC Case / Package	SOIC
Задержка Выхода	200нс
Задержка по Входу	600нс
Количество Выводов	14вывод(-ов)
Количество Каналов	1канал(-ов)
Конфигурация Привода	Полумост
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Напряжение Питания	20В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	10В
Стиль Корпуса Привода	SOIC
Тип переключателя питания	IGBT, MOSFET
Ток истока	2.5А
Ток стока	2.5А
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов
Вес, г	0.1431